【摘 要】
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采用直流磁控溅射,通过控制氧分压溅射得到取向性很好的VO薄膜,并经过退火得到VO薄膜.XRD的结果表明,在氧分压增大时VO薄膜沿c轴垂直方向取向,(001)面平行于衬底生长,并在退
【机 构】
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河北工业大学材料科学与工程学院(天津)
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采用直流磁控溅射,通过控制氧分压溅射得到取向性很好的V<,2>O<,5>薄膜,并经过退火得到VO<,2>薄膜.XRD的结果表明,在氧分压增大时V<,2>O<,5>薄膜沿c轴垂直方向取向,(001)面平行于衬底生长,并在退火后得到的VO<,2>薄膜中延续了(001)的取向.SEM照片中观察到细长呈针状的V<,2>O<,5>晶粒层层平铺于衬底,和退火后长大呈棒状的致密的VO<,2>薄膜.用傅立叶变换红外光谱分析薄膜的分子结构和薄膜的晶格转化过程.
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