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本文利用电化学沉积的方法在在较高的沉积电位下制备了沿[100]晶向择优取向生长的单晶Co纳米线阵列.不同的测量手段揭示了更高的沉积电位将生长出包含左旋和右旋曲扭的纳米线.基于X-射线摇摆曲线和极图的测量,我们提出了一个具有手性的曲扭模型.两个不同样品之间晶体各向异性的差别可以归结为曲扭阻碍了纳米线中畴壁的运动.另外,我们的工作还显示出纳米线的各向异性对缺陷非常敏感.