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本文研究了复合型磁性隧道结中隧穿磁阻(TMR)的偏压依赖理论.在数值上给出了Al<,2>O<,3>/ZrO<,2>复合型隧道结中的TMR偏压依赖的不对称特征.并对该隧道结中转变电压V<,c>的厚度依赖曲线中存在极小值的现象提出了一种可能的物理解释.
复合型铁磁隧道结中TMR的变号行为
【摘 要】
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本文研究了复合型磁性隧道结中隧穿磁阻(TMR)的偏压依赖理论.在数值上给出了AlO/ZrO复合型隧道结中的TMR偏压依赖的不对称特征.并对该隧道结中转变电压V的厚度依赖曲线中存在
【机 构】
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南京大学固体微结构国家重点实验室(南京)
【出 处】
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第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议
【发表日期】
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2004年5期
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