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用MOCVD技术在三种气体混合不同即预反应大小不同的反应管中生长掺硅的CaN单晶膜。通过对样品进行光电性能的分析，研究了预反应的大小对掺硅CaN单晶膜性质的影响。研究结果表明：预反应减小能改善掺硅CaN单晶膜的发光性能，即大大提高了带边发光强度，并基本抑制由深能级引起的黄带发射，研究人员认为带边增强，黄带受抑制是因为预反应减小使CaN单晶膜中C<,Ga>减少引起的。但预反应的减小也使掺硅CaN单晶膜电子迁移率降低。