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该文对硅单晶新生抛光镜面活性状态及其与环境吸附质之间的相互作用的动力学过程进行了分析研究。提出了两类吸附质状态的控制模型，通过实验验证了使用非离子大分子活性剂优先吸附抛光镜面，隆低活性，达到稳态，满足ＶＬＳＩ和ＵＬＳＩ用硅单晶抛光片表面清洗的工艺要求。
硅单晶抛光镜面吸附动力学的分析研究
【摘 要】
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该文对硅单晶新生抛光镜面活性状态及其与环境吸附质之间的相互作用的动力学过程进行了分析研究。提出了两类吸附质状态的控制模型，通过实验验证了使用非离子大分子活性剂优先
【机 构】
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工业大学
【出 处】
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1998年全国半导体硅材料学术会议
【发表日期】
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1998年期
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