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【摘 要】
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通过拉晶实验，发现热对流、晶转、拉速等对掺磷Ｎ〈ｌｌｌ〉高阻硅单晶径向电阻率均匀性影响很大。热对流小，晶转快，拉速大能有效提高单晶径向电阻率均匀性。
【机 构】
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有色金属研究总院
【出 处】
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第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
【发表日期】
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1999年期
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