论文部分内容阅读
利用射频磁控溅射技术在石英衬底上制备了MgZnO合金薄膜,并采用传统湿法刻蚀的方法在薄膜上制备了梳妆叉指Au电极,构成金属-半导体-金属(MSM)结构。在室温下,实现了深紫外MgZnO光电探测器,器件的探测峰值位于225nm。
深紫外MgZnO光电探测器
【摘 要】
：
利用射频磁控溅射技术在石英衬底上制备了MgZnO合金薄膜,并采用传统湿法刻蚀的方法在薄膜上制备了梳妆叉指Au电极,构成金属-半导体-金属(MSM)结构。在室温下,实现了深紫外MgZ
【机 构】
：
中国科学院激发态物理重点实验室,吉林长春 130033 中国科学院研究生院,北京 100049
【出 处】
：
第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
【发表日期】
：
2008年期
其他文献
ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,具有许多优异的性能。其p型掺杂的实现是ZnO基光电器件的关键技术,也一直是ZnO研究中的主要课题。本课题组经过多年来不断的探索与
1946年8月29日，王震将军率三五九旅南下，打算在华南地区立足，却被国民党军重重包围，被迫退回陕甘宁边区。 夏夜，王震只穿件白布衬衣，戴着花镜坐在窑洞灯下看书。他一只手举着书本，另一只手机械地摇动一把破蒲扇轰蚊子。一会，教育科长来了“报告!” 王震放下书，摘下眼镜。教育科长一眼瞥见那书的封面上有三个墨写的大字：矛盾论。 王震先听教育科长报告情况。边扇着扇子，边发问和评论。当说到本旅家属队的
基于中科院微电子研究所的砷化镓PIN二极管工艺,研制了一种单片单刀单掷开关。为了仿真该单片单刀单掷开关,研制开发了准确的砷化镓PIN二极管小信号模型。在9.5GHZ到26.5GHZ
会议
蓝宝石衬底GaN基LED的电流拥挤效应一直是制约影响二极管寿命主要问题,常见电流扩展层薄NVAu层或ITO导电薄膜。本文主耍研究了ITO导电膜的退火对蓝光LED光电参数的影响。从实
通过直流反应磁控溅射法在Si(111)衬底上制备了不同Fe掺杂量的ZnO薄膜。室温下测量了样品的光致发光(PL)谱,所有样品的PL谱均观察到430nm左右的蓝光发光带,该发光带的强度与F
为了更好的实现有机电致发光器件在显示和照明等方面的应用,降低能耗,我们需要进一步提高器件的发光效率。本文中我们把一种新型铱配合物掺杂到母体CBP中作为黄色发光层,并且
会议
本文设计了一个由CMOS差分放大器构成的电容反馈跨阻型紫外焦平面单元读出电路。该电路在传统的读出电路基础上进行改进,大幅度的提高了输入电流的动态范围。该单元读出电路
目的:探讨意外伤害多发性的特征和原因,为提高急救医疗质量,保障人民生命安全提供决策依据。方法:本组资料采用本院1992年1月1日～1999年12月31日的住院病例83188例,由损伤和中
请下载后查看，本文暂不支持在线获取查看简介。
Please download to view, this article does not support online access to view profile.
利用激光分子束外延系统在Si(100)衬底上,温度为1000℃,分别在真空、氧压为0.1Pa、1.0Pa和10Pa的条件下制备了含纳米硅二氧化硅薄膜。通过X射线衍射可以发现:在制备的薄膜中
会议