电离辐射环境下的PD SOI NMOS热载流子可靠性研究

• 作 者: 周航 余学峰 崔江维 郭旗 任迪远 郑齐文
• 机 构: 中国科学院,新疆理化技术研究所,新疆乌鲁木齐市北京南路40-1号,830011
• 出 处: 第一届全国辐射物理学术交流会(CRPS`2014)
• 发表日期: 2014年期
• 关键词: 电离 辐射环境 NMOS SOI 热载流子 氧化物陷阱电荷 敏感参数 器件参数

对深亚微米PD型SOI NMOS进行了辐射环境下的热载流子效应研究.通过对照试验,定性的分析了氧化物陷阱电荷和界面态对器件敏感参数的影响.得出了氧化物陷阱电荷和界面态随着时间参数的变化,在不同阶段对器件参数的影响.结果表明:总剂量辐射环境下的热载流子损伤将加剧器件敏感参数的退化.二者的共同作用远大于单一影响因子.