Ni掺杂ZnO基稀磁半导体的性质研究

来源 :第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:tnngx123
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
本文采用溶胶-凝胶法制备了具有高温铁磁性的Ni掺杂ZnO DMS粉末.研究表明,当掺杂浓度小于5%时,样品中没有第二相.微观结构和磁学性质研究认为,样品中存在的结构有:主要的铁磁性的(Zn,Ni)O,一些顺磁性的孤立Ni原子,以及可能存在微量的Ni团簇.而样品的宏观铁磁性主要来源于具有铁磁性的(Zn,Ni)O结构,居里温度约为650K.
其他文献
本文用溶胶凝胶法(sol-gel technique)在P-Si上制备LiCl:ZnO薄膜.试样分别进行O2-600℃、O2-900℃热退火处理.在77K~325K温度范围作电流~温度(I-T)和深能级瞬态谱(DLTS)测量.DL
会议
研究了物理气相法制备氮化铝晶体的过程中生长条件的改变对晶体生长的影响.实验中,采用带石墨环的坩埚组件可以避免高温下钨坩埚体和盖的粘结问题.随着生长温度的升高,氮化铝
本文利用Zn蒸气和H2O蒸气在高温下反应成功地在(0002)面蓝宝石衬底上沉积了厚达7-11 μm的高质量ZnO外延层,并发现利用预先由MOCVD低温生长的ZnO模板有助于改善外延层的结晶
会议
本文采用变温PL谱方法研究了四种不同ZnO材科室温带边发光峰(NBE)的起源.根据具体材料的不同,在NBE中占主导地位的跃迁可能有激子复合,自由电子-中性受主跃迁,包含深能级中心
本文通过直流反应磁控溅射法在玻璃衬底上制备了掺镓ZnO(ZnO:Ga)透明导电薄膜,研究了溅射压强对ZnO:Ga透明导电薄膜结构、形貌和电光学性能的影响.X射线衍射结果表明所制备的
会议
本文在玻璃衬底上用PLD的方法成功制备出具有高度(0002)取向性的、晶体质量较好的Li掺杂为0.4at%的P-型Zn0.8Mg0.2O薄膜.衬底温度对薄膜的电学性能及结晶质量有重要影响,实验
地西泮是最常用的苯二氮(艹卓)类镇静、催眠药之一,其作用缓和且安全可靠,在治疗范围内副作用较轻,常规剂量服用不引发严重不良反应,仅偶见与其中枢抑制作用相对应的一些不良
病退,是职工因病(非因公)完全丧失劳动能力后国家为保障其基本生活给予的一种养老待遇,是退休的一种特殊形式。其基本条件是男年满50周岁,女年满45周岁,且缴费满15年及 Reti
引言牛顿運動第二定律是不是一個定義,應當認為是一個原則性的問題。我們所以提出這個問題,是因為有些物理學教科書,對這問題搞不清楚,曾經認為第二定律僅僅是個定義,甚至宣
本文紧密结合电力系统电压突降的实际情况,在分析介绍电压突降预测的基本算法的基础上,提出了一种基于分层思想的复杂电力系统实用电压突降预测方法。