地西泮的特殊不良反应

来源 :中国药师 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wenjun_wu
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
地西泮是最常用的苯二氮(艹卓)类镇静、催眠药之一,其作用缓和且安全可靠,在治疗范围内副作用较轻,常规剂量服用不引发严重不良反应,仅偶见与其中枢抑制作用相对应的一些不良反应,如嗜睡、头晕、疲倦、共济失调等,但近年来临床用药过程中逐渐发现地西泮治疗剂量下还会引起血液、心血管、胃肠道等的不良反应,现综述如下,以提请医务工作者和用药者的注意.
其他文献
本文主要介绍了GB/T14048.1-2000与GB/T14048.1-1993中对介电性能试验的规定的区别,并对新标准中对该试验改变的内容进行了分析.在低压输配电系统中,有可能出现各种过电压的情
介绍了一种基于DSP的三相交流调速系统的设计方法,重点介绍了系统结构和硬件设计.并以三菱公司的IPM为例,介绍了主要元器件参数计算和选型.系统硬件简单,具有良好的动态和静
房子,自古就是保身立命之所,也与我们的生活最息息相关。60年来,关于房子,有太多的变化。从平房到楼房,从福利房到商品房,从一家几口人蜗居在不到20平方米的斗室里,到现在你
本文利用射频磁控溅射方法,在Si基片和玻璃基片上制备Al3+掺杂浓度10%-40%的ZnO薄膜,并测试了薄膜的透射谱和光致发光谱.随着Al3+掺杂浓度的提高,ZnO薄膜的吸收边向短波长方向
本文用溶胶凝胶法(sol-gel technique)在P-Si上制备LiCl:ZnO薄膜.试样分别进行O2-600℃、O2-900℃热退火处理.在77K~325K温度范围作电流~温度(I-T)和深能级瞬态谱(DLTS)测量.DL
会议
研究了物理气相法制备氮化铝晶体的过程中生长条件的改变对晶体生长的影响.实验中,采用带石墨环的坩埚组件可以避免高温下钨坩埚体和盖的粘结问题.随着生长温度的升高,氮化铝
本文利用Zn蒸气和H2O蒸气在高温下反应成功地在(0002)面蓝宝石衬底上沉积了厚达7-11 μm的高质量ZnO外延层,并发现利用预先由MOCVD低温生长的ZnO模板有助于改善外延层的结晶
会议
本文采用变温PL谱方法研究了四种不同ZnO材科室温带边发光峰(NBE)的起源.根据具体材料的不同,在NBE中占主导地位的跃迁可能有激子复合,自由电子-中性受主跃迁,包含深能级中心
本文通过直流反应磁控溅射法在玻璃衬底上制备了掺镓ZnO(ZnO:Ga)透明导电薄膜,研究了溅射压强对ZnO:Ga透明导电薄膜结构、形貌和电光学性能的影响.X射线衍射结果表明所制备的
会议
本文在玻璃衬底上用PLD的方法成功制备出具有高度(0002)取向性的、晶体质量较好的Li掺杂为0.4at%的P-型Zn0.8Mg0.2O薄膜.衬底温度对薄膜的电学性能及结晶质量有重要影响,实验