【摘 要】
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本文利用Zn蒸气和H2O蒸气在高温下反应成功地在(0002)面蓝宝石衬底上沉积了厚达7-11 μm的高质量ZnO外延层,并发现利用预先由MOCVD低温生长的ZnO模板有助于改善外延层的结晶
【机 构】
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中国科学院半导体研究所材料中心,北京,100083
【出 处】
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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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本文利用Zn蒸气和H2O蒸气在高温下反应成功地在(0002)面蓝宝石衬底上沉积了厚达7-11 μm的高质量ZnO外延层,并发现利用预先由MOCVD低温生长的ZnO模板有助于改善外延层的结晶质量和形貌.XRD分析表明在ZnO模板上生长的ZnO膜消除了杂乱晶向,而且(0002)晶面的双晶X射线衍射摇摆曲线半高宽从2687 arcsec降低至295 arcsec.光学显微镜和扫描电镜(SEM)观察发现直接生长的样品表面呈岛状,粗糙度很大;使用模板后得到相对平坦的具有六角结构的表面.但模板对电学性质的影响仍然不太确定.
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