【摘 要】
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高效率硅材料电致发光器件的突破性进展将对于光电集成、光互联的发展将产生重大的影响。由于硅为间接带半导体材料，发光波长单一，效率低，一直无法在硅芯片上集成高效率的硅
【机 构】
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南开大学物理科学学院,天津300071
【出 处】
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第12届全国发光学学术会议暨发光学相关产业研讨会
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高效率硅材料电致发光器件的突破性进展将对于光电集成、光互联的发展将产生重大的影响。由于硅为间接带半导体材料，发光波长单一，效率低，一直无法在硅芯片上集成高效率的硅发光器件，这限制了硅材料在各种光电子领域的应用。近年来，由于传统的以电子为信息载体的金属互联在耗散、信号串扰和延迟方面的局限性，集成电路的带宽已经接近极限，一种备受产业界推崇的低成本的发展方向是集成高速的宽带光子互联。目前光波导、高速光调制器和探测器都已经具备，急待解决的问题是如何在硅上集成高效率的微型光源。本文介绍了我们在离子注入的硅pn结LED、Er掺杂纳米硅、稀土掺杂的SiO2 MOS结构三种硅基电致发光器件的研究结果。
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