【摘 要】
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微米LED阵列因在微显示，生物检测，神经元细胞操控以及有机激光器方面的应用潜力而受到重视.理论计算表明微米LED的内量子效率和出光效率均能得到大幅提高，但是目前微米LED实
【机 构】
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北京大学物理学院,北京100971;InstituteofPhotonics,UniversityofStrathclyde,Glasgow,UnitedKingdomInstituteofPhoto
【出 处】
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第12届全国发光学学术会议暨发光学相关产业研讨会
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微米LED阵列因在微显示，生物检测，神经元细胞操控以及有机激光器方面的应用潜力而受到重视.理论计算表明微米LED的内量子效率和出光效率均能得到大幅提高，但是目前微米LED实际的发光效率相比大尺寸的LED仍旧偏低.目前对微米LED的发光机理方面的研究还比较少，和大尺寸LED一样，发光效率的提高对于微米LED的应用同样重要.本研究通过对不同尺寸和刻蚀深度的InGaN/GaN微米LED进行阴极荧光(CL) mapping的测量，发现在2微米到80微米台面直径范围内，在台面边缘出现发光波长的蓝移.随着尺寸的减小，从80微米的蓝移5.8nm增加到2微米蓝移9.0nm.对尺寸小于8微米的台面，除了边缘相对于中心的蓝移外，还观察到中心区域相对于大尺寸台面中心区域的蓝移.我们把CL mapping中的蓝移现象归因于微米LED台面刻蚀时GaN中的残余应力的释放，而与GaN处于应变状态的InGaN量子阱应力也被改变，从而导致压电极化场的改变.我们使用ANSYS软件进行了应力分布的计算，结果能够较好的解释蓝移现象.
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