【摘 要】
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Ⅲ族氮化物属于第三代半导体材料,具有优异的物理及化学性质,其宽的直接带隙非常适合制作紫外及蓝绿色发光器件.目前,GaN基发光二极管(LED)和边发射激光器(LD)已实现了商
【机 构】
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厦门大学萨本栋微纳米技术研究中心/物理系,福建厦门361005中国科学院半导体研究所集成光电子学国家联合重点实验室,北京100083
【出 处】
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第12届全国发光学学术会议暨发光学相关产业研讨会
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Ⅲ族氮化物属于第三代半导体材料,具有优异的物理及化学性质,其宽的直接带隙非常适合制作紫外及蓝绿色发光器件.目前,GaN基发光二极管(LED)和边发射激光器(LD)已实现了商业化应用,GaN基垂直腔面发射激光器(VCSEL)和谐振腔二极管(RCLED)也处于紧张的研发之中.GaN基VCSEL是一种新型的半导体激光器,具有成本低、圆形光斑、阈值电流低、易于实现二维阵列等诸多优点,在光存储、显示、医疗、照明等领域都具有非常广阔的应用前景.RCLED则同时具备了传统LED和VCSEL两者的优点,其光束质量、发光效率、温度特性优于传统的LED,而其工艺难度、生产成本则低于VCESL.其独特的优势使其在照明、显示、光通信及其它许多领域都极具应用潜力.
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