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在硅集成电路发展中,离子注入技术起着重要作用.最早它被用来进行MOSFET的沟道注入以调节其阈值电压,接着它替代热扩散用作MOS器件的源漏掺杂、CMOS电路中的阱区(P阱、n阱)以及场区隔离的掺杂等,它同硅栅自对准工艺结合,逐渐成为硅大规模集成电路的关键技术之一.
超大规模集成电路中的离子注入技术
【摘 要】
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在硅集成电路发展中,离子注入技术起着重要作用.最早它被用来进行MOSFET的沟道注入以调节其阈值电压,接着它替代热扩散用作MOS器件的源漏掺杂、CMOS电路中的阱区(P阱、n阱)以
【机 构】
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中国科学院半导体研究所(北京)
【出 处】
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第十一届全国电子束、离子束、光子束学术年会
【发表日期】
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2001年期
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