【摘 要】
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本文描述一种新的C-V,I-V电学表征技术.通过这种模型的电学测试和参数提取,我们可以获取SIMOX(离子束注入隔离氧化层)SOI圆片的上界面和下界面的界面态参数以及埋氧层的质量.
【机 构】
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中国科学院上海冶金所离子束开放实验室(上海)
【出 处】
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第十一届全国电子束、离子束、光子束学术年会
论文部分内容阅读
本文描述一种新的C-V,I-V电学表征技术.通过这种模型的电学测试和参数提取,我们可以获取SIMOX(离子束注入隔离氧化层)SOI圆片的上界面和下界面的界面态参数以及埋氧层的质量.传统的MOS电容结构测试电学特性应用到SOI圆片的时候要求把SOI圆片的表层硅腐蚀掉,这样虽然可以得到埋氧层和下界面的特性参数,但是不能得到表层硅和上界面的参数.而且由于腐蚀过程造成的损害,所以所得到的绝缘层的质量参数也是不准确的.所以我们在实验中直接利用SOI圆片的SIS(Silicon-Insulator-Silicon)结构.经过最小的样品准备过程,通过模型的高斯定律和泊松方程求解得到参数提取方程,得到一种SOI圆片的无损电学表征方法.在实验中,我们所用的样品包括自己实验室所制备的低剂量超薄SIMOX SOI圆片以及美国Ibis公司的低剂量SIMOX SOI圆片,将实验结果进行对比,得到了实验数据结果.
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