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Spectroscopic ellipsometry studies on InN and In-rich InGaN thin films grown on sapphire by high pre
【作 者】
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【机 构】
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DepartmentofIndustrialEngineeringandManagement,Da-YehUniversity,Changhua,51591,TaiwanLaboratoryofopt
【出 处】
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第二届全国偏振与椭偏测量研讨会
【发表日期】
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2016年11期
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