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在Ⅲ族氮化物的发展过程中，欧姆接触的实现一直是一个重要的问题，特别是对于高Al组分AlGaN，在短波长LED、LD和UV探测器上有着广阔的应用前景。对于n—AlGaN材料Ti基接触通常需要850度以上的退火温度才能形成欧姆接触，最近的研究显示V基接触比Ti基接触能在更低的退火温度下形成更低的接触电阻。本文研究了V基欧姆接触和传统Ti基欧姆接触，发现在A1GaN样品上Ti基接触到850度才能形成欧姆接触而V基接触在700度即可形成欧姆接触且比接触电阻率更低，通过XPS和XRD分析在退火过程中V与N反应形成V的氮化物对欧姆接触的形成起着重要的作用。