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作为一种宽带隙半导体，ZnO具有独特的半导体、光学、压电、焦热电以及紫外遮蔽的多功能性。特别是一维的ZnO纳米线，目前已被广泛的应用于多种领域，例如：电子和光电子器件、气体传感器、场发射器件、太阳能电池和纳米发电机。同时，纤锌矿的ZnO极易沿着(0001)方向生长在任何衬底上，以构成定向排列的纳米线或纳米棒阵列结构，这使得ZnO成为理想的构建超疏水结构的材料。若将超疏水性与ZnO的其他特性，如压电和紫外遮蔽性同时应用于一种材料中，无论其在基础研究还是在实际应用上都将有很好的发展前景。但是，由于ZnO具有光敏性，在紫外光以及日光照射下，ZnO材料表现出极强的光氧化能力和光诱导的超亲水性，从而使其失去超疏水能力。本文采用仿生的层层沉积方法在Zn0纳米线表面共轴包覆了超薄的Si02壳层，成功的构建了紫外光下持久超疏水的Zn0@Si02核壳纳米线阵列结构。