宽禁带半导体GaN电子器件发展现状和研究趋势

• 作 者: 王金延
• 机 构: 北京大学微纳电子研究院
• 出 处: 2016北京微电子研究生学术论坛
• 发表日期: 2016年11期
• 关键词: 宽禁带半导体 GaN-based HEMT 功率器件

　　作为三代半导体材料,GaN具有宽禁带宽度、高击穿电场和迁移率的优势,其器件非常适合作为功率和微波放大器,已成为下一代微波功率放大器的现实选择和功率开关器件的候选者,该领域也是当前国内外的研究热点。本报告将介绍该领域的进展,并结合已有的研究经验,谈谈该领域的研究趋势。