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Isoelectronic Bi atoms in InP studied at the atomic scale by cross-sectional scanning tunneling micr
【作 者】
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【机 构】
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Department of Applied Physics, Eindhoven University of Technology, The Netherlands
【出 处】
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第七届铋化物半导体国际研讨会(7th International Workshop on Bismuth-contain
【发表日期】
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2016年11期
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