a-Si电池的p掺杂层优化的椭偏模型研究

• 作 者: 訾威 刘晓静 刘生忠
• 机 构: 陕西师范大学新能源材料研究所,730100
• 出 处: 第十四届中国光伏大会暨2014中国国际光伏展览会
• 发表日期: 2014年期
• 关键词: 非晶硅电池 掺杂浓度 优化 介电常数 材料 梯度上升 开路电压 光学带隙

　　通过调节不同的p 层工艺,获得了开压范围为0.80～1.03V 的非晶硅电池(a-Si),发现在高压高功率条件下沉积的双层并且掺杂浓度梯度上升的p 层可以获得最高的电池开路电压(1.03V).使用椭偏仪研究这些不同的p 层材料,拟合出材料的介电常数,使用介电常数计算出材料的带隙为1.87～2.1eV,发现p 层的光学带隙与电池的开压有一定的关联.