【摘 要】
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本文采用磁控溅射Cu-Zn-Sn金属预置层并后硒化的方法制备出结晶良好的Cu2ZnSnSe4(CZTSe)薄膜.通过光学测量和计算得出CZTSe的薄膜Eg为0.98eV.在能量高于带隙的波段,光吸收系
【出 处】
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第十四届中国光伏大会暨2014中国国际光伏展览会
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本文采用磁控溅射Cu-Zn-Sn金属预置层并后硒化的方法制备出结晶良好的Cu2ZnSnSe4(CZTSe)薄膜.通过光学测量和计算得出CZTSe的薄膜Eg为0.98eV.在能量高于带隙的波段,光吸收系数高于104cm-1.将CZTSe吸收层制备成有效面积为0.345cm2的CZTSe/CdS/ZnO电池,其电池光电转换效率为8.7％,开路电压为418mV,电路电流密度为36.2mA/cm2,填充因子为57.6％,串联电阻为0.61Ω.cm2,反向饱和电流密度为3.6x10-6A/cm2.与IBM和IMEC制备的高效CZTSe电池相比,本研究组制备的电池具有更高的开路电压和更低的串联电阻.将Zn靶换成ZnS靶,其他工艺参数和条件不变,由此制备的Cu2ZnSn(S,Se)4(CZTSSe)薄膜,并完成了电池器件的其他工艺,制备的CZTSSe薄膜电池光电转换效率达到10.2％.
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