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薄膜硅/晶体硅异质结( HIT) 太阳电池是一种有发展前景的高效低成本电池，受到人们的重视。本文以p 型单晶硅为衬底，利用等离子体增强的化学气相沉积(PECVD)技术研制非晶硅/单晶硅单面HIT 电池，在影响硅HIT 电池性能的诸多因素中找出了一些对电池性能有较大影响的关键因素：硅片表面去损伤层处理、硅片表面氢等离子体处理、本征非晶硅i 层沉积时的硅烷浓度、铝背电极的制备条件等。