【摘 要】
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根据Si1-xGex(锗硅)合金的表面结构特性,提出了SiGe生长分速率机制.基于分速率机制和Grove理论,建立了Si1-xGex合金材料的CVD生长速率模型.模型不仅同时考虑了气相传输与表面
【机 构】
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西安电子科技大学微电子学院,陕西 西安 710071
【出 处】
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第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
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根据Si1-xGex(锗硅)合金的表面结构特性,提出了SiGe生长分速率机制.基于分速率机制和Grove理论,建立了Si1-xGex合金材料的CVD生长速率模型.模型不仅同时考虑了气相传输与表面反应两种生长控制机制,而且还考虑了Si1-xGex表面二聚体结构对生长速率的影响,使模型更加精确.将模型计算值与生长实验值进行了对比，550℃,600℃和650℃下生长速率模型的平均误差分别为3.5525％,1.1425%和1.274%，远小于7.12%，说明分速率机制是正确的，可以为工艺模拟研究提供理论支持以及对生长工艺参数的优化提供帮助。
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