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本文研究了阶跃应力下AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的退化机制.实验表明在临界电压之前应力电流在每一步阶开始时均表现出过冲现象,超过临界电压应力电流出现噪声特性并突然增大.笔者认为由于高场作用陷阱会在势垒层中随即产生,但是一旦超过临界电压,逆压电效应会导致陷阱密度的急剧增加.过多的陷阱会在势垒层中形成漏电通道并导致AlGaN/GaN HEMTs的永久退化.