【摘 要】
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在高k侧墙的无结双栅MOSFET器件中采用了渐变掺杂沟道结构,进而提出了一种新的器件结构——渐变掺杂沟道的高K侧墙无结双栅MOSFET(high-K spacer junctionless double-gate M
【机 构】
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西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,陕西 西安 710071
【出 处】
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第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
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在高k侧墙的无结双栅MOSFET器件中采用了渐变掺杂沟道结构,进而提出了一种新的器件结构——渐变掺杂沟道的高K侧墙无结双栅MOSFET(high-K spacer junctionless double-gate MOSFET withgraded-doping channel:GCHSJLDG MOSFET).利用ISE仿真工具对这种新型器件的电学特性进行了研究,包括沟道中心的静电势,沟道中心电场以及漏电流与栅电压的关系.并且与相应的均匀掺杂沟道的高K侧墙无结双栅MOSFET和无侧墙的渐变掺杂沟道无结双栅MOSFET进行了对比.结果表明,渐变掺杂沟道结构能够提高载流子在沟道中的输运效率,进而提高漏电流,还可以抑制热载流子效应;另外,高k侧墙可以提高器件的亚阈特性.
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