【摘 要】
：
在半导体存储器中软错误的发生是由于带电粒子撞击单元节点所致.发生的软错误能使器件逻辑状态发生翻转,这将导致系统功能紊乱,严重时会发生灾难性事故.本文提出了一种具有较
【机 构】
：
国防科技大学计算机学院 长沙 410073
【出 处】
：
第十三届计算机工程与工艺会议(NCCET09’)
论文部分内容阅读
在半导体存储器中软错误的发生是由于带电粒子撞击单元节点所致.发生的软错误能使器件逻辑状态发生翻转,这将导致系统功能紊乱,严重时会发生灾难性事故.本文提出了一种具有较高容软错能力的SRAM存储单元,该单元是在传统6管单元中添加一个传输门来实现的,并在90nm工艺下进行了版图设计与实现,用Hspice模拟的方法进行了验证.模拟结果表明,和标准SRAM 6管单元相比,这种SRAM单元提高了容软错能力,软错误率降低了36.8％.
其他文献
现代集成电路对软错误导致的位翻转越来越敏感,位翻转通常是由α粒子或中子撞击MOS管的漏极引起的.这些位翻转,包括SEU(单粒子翻转),随着工艺的更新换代会变得更加严重,必须
河北省丰南市农业局从比利时让布鲁农业研究中心引进 5个菊苣品种———闪电 (Ｆｌａｓｈ)、比亚 (Ｂｅａ)、卡拉 (Ｃａｙ ｌａ)、萨欧萨 (Ｓａｌｓａ)、爵士 (Ｊａｚ) ,从 1997年开始进行品种比较试验 ,多年试验结果表
辐射效应对集成电路的影响随着工艺尺寸的下降而增加,本文将从单粒子翻转、单粒子闩锁、总剂量效应等方面分析存储单元加固技术的各种可行方法,并阐述各种方法的优、缺点.
The object to research the Modified Asphalt Mixtures Stress-Absorbing Interlayer is to postpone the process of reflective cracking in pavement.As one of importa
一般来说,芯片功耗大部分来自于片上存储器,因此降低存储器功耗成为芯片低功耗设计的首要目标.本文分析了动态电压调节技术,根据工作状态的不同改变SRAM单元的供电电压,在待
本文提出了一种抗单粒子瞬变(Single Event Transient,SET)的差分压控振荡器(Voltage-Controlled Oscillator,VCO)电路结构.本文详细分析了VCO的SET响应特性,对VCO的SET加固
Nowadays,asphalt emulsion cold in-place recycling (CIR) has been used in asphalt pavement preservation and maintenance in China.The paper will be undertaken wit
为加强电镀业职业危害防治,1988年常熟市对主要村办49家电镀企业1239名工人进行了职业危害调查,并对使用多稀土低铬电镀工艺7家企业168人的健康状况进行了前瞻性动态观察研
In this study,temperature of mixing under the condition of construction decreased by more than 20℃ through adding the Sasobit modifier into mixes.Rutting test,
新闻与旧闻交替轮回间,一段段历史悄然被书就。尘埃落定的不仅是那一幕幕岁月的过影,还有记录者本身潇洒淋漓的人世传奇。
News and old news alternate turns, a period of