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作者对ＳｉＧｅ／Ｓｉ ＨＢＴ及其兼容工艺进行了研究，在研究了一些关键的单项工艺的基础上，提出了五个高速ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ结构和一个低噪声ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ结构，并已初步研制成功台面结构ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ和低噪声ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ，为进一步高指标的ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ的研究建立了基础。
SiGe\\Si HBT及其Si兼容工艺研究
【摘 要】
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作者对ＳｉＧｅ／Ｓｉ ＨＢＴ及其兼容工艺进行了研究，在研究了一些关键的单项工艺的基础上，提出了五个高速ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ结构和一个低噪声ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ结构，并已初步研制成功台面结构ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ和低噪声ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ，为进一步高指标的ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ的研究建立了基
【机 构】
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大学微电子中心(南京)
【出 处】
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第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
【发表日期】
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1999年期
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