应变SiGe/Si多量子阱的光荧光研究

• 作 者: 成步文 黄昌俊 罗丽萍
• 机 构: 中国科学院半导体研究所,集成光电子学实验室(北京)
• 出 处: 第七届全国固体薄膜学术会议
• 发表日期: 2000年期
• 关键词: 多量子阱 光子学 学技术 光电子学材料 器件 单片集成 非直接 带结构 应用 目标

Si的非直接带结构使得它在光子学领域的发展与应用到很大的限制，因此，到目前为止，光子学技术的研究是以III-V族为主体。要实现电子学与光子学技术的有效结合，实现光电子单片集成是人们梦寐以求的目标。正因如此，Si基光电子学材料与器件的研究受到人的高度重视，犹其是在近十多年来，人们在SiGe材料与器件方面的研究非常活跃<[4]>。