【摘 要】
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在过去的十多年,InAs/GaSb Ⅱ类超晶格已经得到了迅速的发展,性能优良的大面阵超晶格红外探测器焦平面已经相继报导,不过,目前InAs/GaSb Ⅱ类超晶格探测器的性能与其理论性能
【机 构】
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中国科学院红外成像材料与器件重点实验室,中科院上海技术物理研究所,上海200083
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在过去的十多年,InAs/GaSb Ⅱ类超晶格已经得到了迅速的发展,性能优良的大面阵超晶格红外探测器焦平面已经相继报导,不过,目前InAs/GaSb Ⅱ类超晶格探测器的性能与其理论性能仍旧有较大的差距,尤其是高质量超晶格材料的生长很大程度上制约了其探测器性能的提高,超晶格材料的质量高低在很大程度上决定了探测器的暗电流以及量子效率等重要参数指标.所以为了不断提高超晶格探测器性能,对于InAs/GaSb Ⅱ类超晶格材料的优化研究是必不可少的.为了不断提高超晶格探测器性能，对于InAs/GaSb Ⅱ类超晶格材料的优化研究是必不可少的。本文阐述InAs/GaSb Ⅱ类超晶格中波红外材料的分了束外延生长(MBE)及其工艺优化。首先，对超晶格生长过程中的分子束流比进行了探索，发现超晶格与GaSb衬底的失配度随着As/In束流比变小而变小，但当As束流过小时，材料表面开始出现缺陷点。其次，为了降低失配，对InSb界面进行了设计，得到了完全应力补偿的超晶格材料，并且界面设计后的材料光致发光效率大大提高，另外还通过X射线衍射曲线拟和得到了其界面中As的组分。最后，为了验证优化后的材料性能，生长并制造了超晶格中波红外单元器件。
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