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本文报道了上海技术物理研究所蹄镉汞和InAs/GaSb二类超晶格分子束外延研究进展和应用情况。为了满足大规模HgCdTe红外焦平面探测器在高可靠性、低成本、均匀性和器件一致性的需要，发展包括Si, GaAs等大面积替代衬底上的分了束外延技术显得尤为重要。通过晶格过渡、衬底选择晶向外延、多步热退火的方法，大面积替代衬底上的蹄福汞分了束外延材料的位错密度得到了抑制，晶体质量、表面缺陷和组份均匀性的得以改善。