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本文对长波9.8微米的超晶格红外探测器吸收区分别进行2.5X1015cm3,5EX1015cm一3,7.5X1015cm一3,1X1016cm3,1.5X1016cm3五个浓度的P型补偿掺杂。相比未掺杂的长波器件，同样吸收区厚度的补偿掺杂器件的量子效率从8％提升到27％，并随着掺杂浓度的升高逐渐减低，1.5X1016cm3掺杂浓度下量了效率为16％。通过长波材料吸收系数、吸收区厚度以及器件量了效率拟合吸收区少了的扩散长度，未掺杂为1.5微米，进行弱P补偿后扩散长度达到3.5微米。五个器件的暗电流曲线表明，高补偿掺杂的器件有大的暗电流密度，1.5X1016cm3掺杂浓度的器件儿乎没有pn结特性。通过对暗电流曲线的拟合表明，P型补偿确实有效降低了产生复合电流，但由于补偿掺杂时深能级缺陷的进入，导致了大的缺陷辅助隧穿电流，并成为暗电流的主导机制，严重降低了器件的电学性能。