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随着电子束光刻及深紫外光刻的方法更多的应用到纳米光子器件制作中,使得光器件的体积大大缩小,越来越多的功能可以集成到同一个光子集成回路中.本文深入的研究了电子束光刻工艺方法及深紫外光刻工艺方法的基本原理及工艺过程,并同时将这两种方法应用到通信波段光子晶体的制作中,通过工艺参数优化,都得到了较好的硅基光子晶体样品.