大直径LEC薄片多线切割过程控制分析

来源 :第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：asdfghjkc

【摘要】

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众所周知,采用LEC方式生长的砷化镓晶体内在应力大于其它生长方式约10倍左右,切割中如何降低"裂纹"断底":对其应力进行控制,已是目前大直径LEC薄片加工中重要问题,本文重点对

【作者】

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郑红军;朱蓉辉;赵德刚;

【机构】

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中科院半导体研究所材料中心,北京,100083

【出处】

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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

【发表日期】

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2006年期

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众所周知,采用LEC方式生长的砷化镓晶体内在应力大于其它生长方式约10倍左右,切割中如何降低"裂纹"断底":对其应力进行控制,已是目前大直径LEC薄片加工中重要问题,本文重点对光电子所需要的3-5英寸大直径LEC晶体,400微米以下薄片切割工艺中石墨几何形状对晶体受力进行分析,并提出一些改进措施,工艺试验均在U600线切割机上进行.

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