InGaAs/AlAs共振隧穿二极管与InGaAs/InAlAs高电子迁移率晶体管在InP衬底上的单片集成

• 作 者: 马龙 张杨 戴扬 杨富华 曾一平 王良臣
• 机 构: 中国科学院半导体研究所,北京,100083
• 出 处: 第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
• 发表日期: 2006年期
• 关键词: 共振隧穿二极管 高电子迁移率晶体管 衬底 峰谷电流比 分子束外延 频率 集成结构 多峰值 半绝缘 栅压 栅长 验证 特性 逻辑 跨导 方法 调节 串联

本文在半绝缘的InP衬底上采用分子束外延的方法生长了RTD与HEMT的集成结构.所制备RTD的峰谷电流比最高17.0,阻性截至频率大于20.5 GHz.栅长为1um的HEMT截至频率19.8 GHz,最大跨导237 mS/mm.由多个RTD串联形成的多峰值逻辑以及HEMT栅压调节RTD电流的特性也得以验证.