【摘 要】
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本文采用三步共蒸发方法制备Cu(GaxIn1-x)Se2薄膜,在第二步结束达到最大富Cu量时,中断薄膜沉积,形成Cu(GaxIn1-x)Se2与CuxSe的混合相,应用XRF、SEM、XRD、Raman、台阶仪及霍
【机 构】
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南开大学光电子技术研究所,天津,300071
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本文采用三步共蒸发方法制备Cu(GaxIn1-x)Se2薄膜,在第二步结束达到最大富Cu量时,中断薄膜沉积,形成Cu(GaxIn1-x)Se2与CuxSe的混合相,应用XRF、SEM、XRD、Raman、台阶仪及霍尔效应测试仪进行测试,研究最大富Cu量对薄膜结晶质量、结构特性及电学特性的影响.测试表明,薄膜的Cu/Ⅲ原子比从103﹪增大到118﹪时,其载流子浓度增大两个数量级,达到1020cm-3;粗糙度减小;最大富Cu量较大的薄膜结晶质量较好.
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