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本文采用HWCVD技术在p型CZ晶体硅衬底上制备了纳米硅/晶体硅异质结太阳电池,测量了晶体硅表面在不同氢处理时间和有无i层条件下的异质结的室温暗I-V特性和相应的电池性能参数.采用双二极管模型拟合了正向暗I-V特性,表明适当时间的氢处理(～30s)可有效降低界面复合电流,改善载流子输运过程,电池参量的测试结果证实了以上结论.纳米硅/晶体硅异质结界面的缺陷态更倾向于连续分布,而不是单能级.