【摘 要】
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本文中采用溅射后硒化两步法制备CuIn1-xGaxSe2(CIGS)薄膜材料.由于采用后硒化方法制备CIGS薄膜时,薄膜生长所需的Se元素完全由外部Se源依靠扩散机制提供,所以在短时硒化过程
【机 构】
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南开大学光电子研究所,天津,300071
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本文中采用溅射后硒化两步法制备CuIn1-xGaxSe2(CIGS)薄膜材料.由于采用后硒化方法制备CIGS薄膜时,薄膜生长所需的Se元素完全由外部Se源依靠扩散机制提供,所以在短时硒化过程中,薄膜内部经常出现Se元素不足的状况,并由此导致薄膜内部出现空洞与CuSe以及非单一CIGS四元相的情况.为了解决以上问题,在硒化时采用含Se预制层制备CIGS薄膜,从而优化了反应途径,改善了薄膜结晶质量,并形成单一相的CIGS化合物.
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