【摘 要】
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采用射频等离子体增强型化学气相沉积(RF-PECVD)沉积本征非晶硅(a-Si∶H)薄膜钝化n型Cz硅片,并在沉积a-Si∶H薄膜之前引入氢等离子体预处理工艺来提高对硅片表面的钝化效果.
【机 构】
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南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,光学信息技术科学教育部重点实验室,天津,300071
【出 处】
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第十四届中国光伏大会暨2014中国国际光伏展览会
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采用射频等离子体增强型化学气相沉积(RF-PECVD)沉积本征非晶硅(a-Si∶H)薄膜钝化n型Cz硅片,并在沉积a-Si∶H薄膜之前引入氢等离子体预处理工艺来提高对硅片表面的钝化效果.通过对氢等离子体处理工艺参数的调节,研究不同处理条件下硅片表面钝化效果.经过对μ-PCD和QSSPC两种少子寿命测试结果的对比分析,以及FTIR的表征发现,氢等离子体预处理不仅可以钝化硅片表面的悬挂键缺陷,降低载流子复合速率,并且可以影响后续生长的a-Si∶H钝化层薄膜的结构特性.采用氢等离子体预处理对a-Si∶H薄膜结构特性进行调控,实现了提高硅片的少子寿命和硅异质结太阳电池的输出特性的目的.
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