射频磁控溅射低温制备ITO薄膜

• 作 者: 王秀娟 谷锦华 陈永生 郜小勇 杨仕娥 卢景霄
• 机 构: 郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室,郑州 450052
• 出 处: 第十四届中国光伏大会暨2014中国国际光伏展览会
• 发表日期: 2014年期
• 关键词: 射频磁控溅射法 低温制备 溅射功率 铟锡氧化物薄膜 流量比 靶基距 平均透光率 压强

利用射频磁控溅射法低温制备铟锡氧化物薄膜,主要研究了氧氩流量比、溅射功率、溅射压强、沉积温度和靶基距等工艺参数对ITO薄膜结构和光电性能的影响.在优化的沉积条件即氧氩流量比0.1/25sccm、溅射功率210W、溅射压强0.2Pa和靶基距2.0cm、衬底为100℃的低温下制备出了可见光范围内平均透光率为89.4％、最低电阻率为7.3×10-4Ω·cm的ITO薄膜.