论文部分内容阅读
InAsInAsSb中波红外超晶格材料的MOCVD生长
【机 构】
:
哈尔滨工业大学材料科学与工程学院,黑龙江哈尔滨,150001中国科学院半导体研究所,半导体材料科学重点实验室,北京100083哈尔滨工业大学材料科学与工程学院,黑龙江哈尔滨,150001;中国科学院半
【出 处】
:
第二十届全国半导体物理学术会议
【发表日期】
:
2015年7期
其他文献
近几十年来,GaAsBi 材料由于其独特的结构和光学特性吸引了大量注意.在GaAs 中加入微量的Bi 组分,材料带隙会巨大的减小,带隙减少值大约为88meV/%Bi,带隙减少使得GaAsBi材
会议