论文部分内容阅读
亚微米硅柱上外延锗的可控成核生长
【机 构】
：
复旦大学应用表面物理国家重点实验室,人工微结构科学与技术协同创新中心和复旦大学物理系,邯郸路220号,上海,200433
【出 处】
：
第二十届全国半导体物理学术会议
【发表日期】
：
2015年7期
其他文献
In-plane magnetic field controlling spin-orbit interaction in Hg1-xCdxTe inversion layer at differen
会议
近几十年来,GaAsBi 材料由于其独特的结构和光学特性吸引了大量注意.在GaAs 中加入微量的Bi 组分,材料带隙会巨大的减小,带隙减少值大约为88meV/％Bi,带隙减少使得GaAsBi材
会议