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InAsIn0.29Ga0.71SbAlSb量子阱磁光-光致发光界面效应
【机 构】
：
中国科学院上海技术物理研究所,上海200083中国科学院半导体所,北京100083
【出 处】
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第二十届全国半导体物理学术会议
【发表日期】
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2015年7期
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