【摘 要】
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本论文InAs/GaSb超晶格在GaSb(001)衬底上生长,设备采用Gen-II分子束外延(MBE)设备.Sb2和As2是裂解炉,Ga和In由SUMO源炉提供.中波InAs/GaSb超晶格每个周期的InAs与GaSb的厚度
【机 构】
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哈尔滨工业大学光电信息材料与量子器件实验室,哈尔滨150001中科院半导体所超晶格重点实验室,北京100083
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本论文InAs/GaSb超晶格在GaSb(001)衬底上生长,设备采用Gen-II分子束外延(MBE)设备.Sb2和As2是裂解炉,Ga和In由SUMO源炉提供.中波InAs/GaSb超晶格每个周期的InAs与GaSb的厚度均为8个单原子层(ML),设计截止波长为5μm.为了更好的控制界面以及使超晶格与衬底得到晶格匹配,本文使用双In炉生长,以及在InAs上生长GaSb时插入0.4ML的InSb.应力平衡后,对超晶格生长温度进行了优化.超晶格分别在再构温度(Tc),Tc+15℃,Tc-15℃,Tc-30℃以及Tc-45℃生长.通过AFM以及PL谱测试,得出超晶格的优化生长温度为Tc-15℃.
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