毫米波宽带单片低噪声放大器

• 作 者: 彭龙新;李建平;杨乃彬;
• 机 构: 南京电子器件研究所,南京,210016
• 出 处: 第六届全国毫米波亚毫米波学术会议
• 发表日期: 2006年期

使用0.25 μm GaAs PHEMT工艺技术和电路反馈技术,设计和制造了两级并联反馈单片低噪声放大器.在放大器的工作频带26-36 GHz内,测得两级放大器增益G≥10.5 dB,带内增益波动△G≤±0.5 dB,噪声系数NF≤3.0 dB,输入输出驻波VSWR≤1.8;在电源电压为5 V(40 mA)下,放大器的1分贝压缩点输出功率最小为P1 dB≥14 dBm.电路的测试结果验证了设计的正确性.