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相变存储器具有非易失性、长循环寿命、低功耗、低成本、元件尺寸可纳米化、高速读取、多级存储、以及与现有集成电路工艺相兼容等诸多优点,被认为是最有可能的下一代存储器.文章介绍了相变存储材料的特点,工作原理,相变材料结构及面临的技术难题。
半导体相变存储材料研究进展
【摘 要】
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相变存储器具有非易失性、长循环寿命、低功耗、低成本、元件尺寸可纳米化、高速读取、多级存储、以及与现有集成电路工艺相兼容等诸多优点,被认为是最有可能的下一代存储器.
【机 构】
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浙江大学,材料科学与工程系,硅材料国家重点实验室,浙江,杭州,310027
【出 处】
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2006年全国功能材料学术年会
【发表日期】
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2006年7期
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