氮化镓纳米带的制备和表征

• 作 者: 杨冬[1]王非[1]翟雷应[1]梁建[2]马淑芳[2]许并社[2]
• 机 构: 太原理工大学,材料科学与工程学院,山西,太原,030024
• 出 处: 2006年全国功能材料学术年会
• 发表日期: 2006年期

采用CVD方法,以金属镓和氨气为原料,金属镍为催化剂,在Si(111)衬底上成功制备出了大量的GaN纳米带.采用场发射扫描电镜(FESEM)、能量散射谱(EDS)仪和高分辨透射电镜(HRTEM)对样品进行了成分、形貌和结构分析.结果表明:制备的GaN纳米带为六方纤锌矿结构,其宽度在80～150nm范围内,厚度在3～10nm范围内,长度达到几十微米,并且对生长机理进行了讨论.