射频磁控溅射法制备(Zr0.8,Sn0.2)TiO4薄膜及其介电性能研究

• 作 者: 程文秀;丁爱丽;仇萍荪;何夕云;郑鑫森;
• 机 构: 中国科学院,上海硅酸盐研究所,高性能陶瓷与超微结构国家重点实验室,上海,200050
• 出 处: 2006年全国功能材料学术年会
• 发表日期: 2006年期

采用射频(RF)磁控溅射的方法,以Pt/Ti/SiO2/Si(100)为衬底材料,制备了高度(111)择优取向生长的(Zr0.8,Sn0.2)TiO4(ZST)薄膜.运用X射线衍射(XRD)和原子力扫描显微镜(AFM)对ZST薄膜的微结构和表面形貌进行了研究.分析了薄膜(111)取向生长的机理.采用X射线光电子能谱(XPS)对薄膜的表面成份进行了分析.研究了ZST薄膜低频下的介电性能,在100kHz下薄膜的介电常数和介电损耗分别为36.6和0.0069,薄膜的电容温度系数(TCC)在1MHz下为8.02×10-5/℃.