【摘 要】
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本文采用化学溶液沉积法分别在LaNiO3(LNO)/Si和石英衬底上制备了Bi3.25In0.75Ti2.97M0.03O12(M=Ti,Al,Co,In,Zn)(BITM)铁电薄膜.分别用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、
【机 构】
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河南大学物理与信息光电子学院,开封,475001
【出 处】
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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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本文采用化学溶液沉积法分别在LaNiO3(LNO)/Si和石英衬底上制备了Bi3.25In0.75Ti2.97M0.03O12(M=Ti,Al,Co,In,Zn)(BITM)铁电薄膜.分别用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、铁电测试仪和紫外-可见-近红外(UV-VIS-NIR)光谱仪,对样品的微结构、铁电和光学性质进行了系统研究.XRD测试表明,BITM薄膜均为随机取向,没有明显的择优取向.AFM结果显示,BITM薄膜表面具有较大的粗糙度,且掺入Al、Co、In、Zn等离子后,颗粒尺寸明显减小.铁电和UV-VIS-NIR结果表明,掺入Al、Co、In、Zn后,薄膜的剩余极化强度、矫顽场和能隙宽度都明显减小;剩余极化强度和矫顽场变小的程度与受主杂质的价态、离子半径和电负性有关,而能隙宽度的减小程度与掺杂原子的序数密切相关.
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